成分范围

　　钼（Mo）含量：50%~90%（常见牌号Mo50Cu50、Mo70Cu30、Mo85Cu15等）

　　铜（Cu）含量：10%~50%（调整比例可优化导热、导电及机械性能）

　　生产工艺

　　1.主要制备方法

　　粉末冶金法（主流工艺）：

　　混粉：高纯钼粉（≥99.95%）与铜粉混合。

　　压制成型：冷等静压（CIP）或模压。

　　烧结-熔渗：在氢气保护下，1200–1400℃烧结，铜熔渗填充钼骨架孔隙，致密度＞98%。

　　热轧/冷轧法：钼铜复合坯料经轧制后退火，提高尺寸精度。

　　2.关键质量控制

　　致密度：影响导热性，需控制孔隙率＜2%。

　　界面结合：钼-铜界面需无氧化、无分层。

　　表面处理：可镀镍、镀金以提高焊接性和抗氧化性。

　　应用领域

　　电子封装

　　散热基板：用于大功率LED、激光二极管、IGBT模块，导热性优于Al₂O₃陶瓷。

　　芯片载体：热膨胀系数匹配半导体，减少热应力开裂。

　　航空航天

　　火箭喷管衬套：耐高温燃气冲刷（钼铜70/30可耐1500℃）。

　　卫星热控材料：高导热+低膨胀，保障设备温度稳定性。

　　电力与真空器件

　　真空开关触点：抗电弧烧蚀，寿命比纯铜提高5–10倍。

　　微波管散热片：用于雷达、通信设备的高频散热。

　　其他领域

　　激光焊接电极：高熔点+高导热，减少电极损耗。

　　核聚变实验装置：作为第 一壁材料候选，耐受等离子体冲击。