关键特性

　　超薄厚度：

　　钼箔：厚度≤0.1mm（常见0.01~0.1mm），可低至5μm（需特殊工艺）。

　　钼片：厚度0.1~1mm，兼顾强度与可塑性。

　　高纯度：≥99.95%（3N5）或更高（如99.99%），杂质少，避免高温晶界脆化。

　　表面精度：需抛光或电解处理，粗糙度Ra≤0.2μm（用于电子器件）。

　　柔性加工：极薄钼箔可弯曲或冲压成复杂形状（但需避免反复弯折导致断裂）。

　　核心应用

　　钼箔（超薄）

　　电子封装：功率半导体（如IGBT）的散热衬底。

　　柔性显示：OLED蒸镀掩膜板（替代传统因瓦合金）。

　　核工业：同位素分离膜、辐射屏蔽层。

　　科研领域：同步辐射光源窗口材料（高透光率与耐辐射性）。

　　钼片（稍厚）

　　真空电子器件：行波管、磁控管电极。

　　高温传感器：热电偶保护套、高温反应容器内衬。

　　光伏背板：薄膜太阳能电池的柔性基底（需表面镀铜或铝）。

　　生产工艺

　　轧制技术：

　　多道次冷轧（厚度<0.1mm需20道次以上），中间退火（1200℃氢气环境）消除加工硬化。

　　箔材需箔轧机（如森吉米尔轧机），控制张力防断带。

　　表面处理：

　　电解抛光：减少微裂纹，提高表面光洁度。

　　等离子清洗：去除有机物残留（用于半导体工艺）。

　　切割工艺：激光切割或精密蚀刻（避免机械应力导致翘曲）。